Обзор - Диоды Шоттки на основе карбида кремния
Описание
Продолжительность: 03:45
Все подразделения продаж компании «Чип и Дип» обслуживает единый распределительный центр - современный автоматизированный складской комплекс площадью 3000 кв.м. с обработкой до 40 000 наименований товара и отгрузкой в течение одних суток, а передовая система управления предприятием MBS AXAPTA, позволяет нам с высоким качеством обрабатывать большой поток заказов
Диод Шоттки - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо pn перехода, как у обычных диодов). Наиболее важными характеристиками диодов Шоттки, определяющими их использование, являются низкое прямое падение напряжения, высокое быстродействие, фактическое отсутствие заряда обратного восстановления. Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В, на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт. Однако, используя карбид-кремниевые подложки (Silicon Carbide - SiC) в качестве основы, можно повысить рабочее напряжение до 1200 В. Впервые кристаллический карбид кремния был получен в 1892 году и тогда был назван карборундом. Отец транзистора Уильям Шокли назвал карбид кремния "идеальным полупроводником" и уже в 1950 году был уверен, что этот материал быстро заменит кремний за счет превосходных свойств. Карбид кремния является полупроводником с непрямой зонной структурой с шириной запрещенной зоны от 2,4 до 3,3 эВ, что означает большой диапазон рабочих температур (теоретически - до 1000°С, практически - до 600°С) и малый ток утечки (менее 70мкА при 200°С). Материал устойчив к окислению при температуре до 1400°С. При комнатной температуре он не взаимодействует ни с какими кислотами. Этим ...
