Продам 2Т504Б (Au) 2014г Транзистор в Москве

2Т504Б

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.

Транзисторы 2Т504А, 2Т504Б, 2Т504В предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора в корпусе не более 2 г.

Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).

Технические условия: аА0.339.110 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т504Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом